真空镀膜运用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子碰击靶材(target)外表, 靶材的原子被弹出而堆积在基板外表构成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,可是镀膜速度却比蒸镀慢许多。新式的溅镀设备简直都运用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加快靶材周围的氩气离子化, 造成靶与氩气离子间的碰击机率添加, 进步溅镀速率。

通常金属镀膜大都选用直流溅镀,而不导电的陶磁资料则运用RF沟通溅镀,根本的原理是在真空中运用辉光放电(glow discharge)将氩气(Ar)离子碰击靶(target)外表，电浆中的阳离子会加快冲向作为被溅镀材的负电极外表，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上构成薄膜。通常来说，运用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特色：

  (1)金属、合金或绝缘物均可做成薄膜资料。

  (2)再恰当的设定条件下可将多元杂乱的靶材制造出同一构成的薄膜。

  (3)运用放电氛围中参加氧或其它的活性气体，能够制造靶材物质与气体分子的混合物或化合物。

  (4)靶材输入电流及溅射时刻能够控制，简单得到高精度的膜厚。

  (5)较其它制程利于出产大面积的均一薄膜。

  (6)溅射粒子几不受重力影响，靶材与基板位置可自在组织。

  (7)基板与膜的附着强度是通常蒸镀膜的10倍以上，且因为溅射粒子带有高能量，在成膜面会持续外表扩散而得到硬且细密的薄膜，一起此高能量使基板只需较低的温度即可得到结晶膜。

 （8)薄膜构成前期成核密度高，可出产10nm以下的极薄接连膜。

  (9)靶材的寿命长，可长时刻自动化接连出产。

  (10)靶材可制造成各种形状，合作机台的特殊规划做非常好的控制及有功率的出产。